一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 崔碧峰; 张松; 王晓玲; 凌小涵 |
| 发表日期 | 2014-03-19 |
| 专利号 | CN103647216A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层；腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通，沿着谐振腔方向，高反腔面到脊型台边缘的长度L1大于出光腔面到脊型台边缘的长度L2；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成非对称腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，有效地改善了光束在水平方向上的发散。 |
| 公开日期 | 2014-03-19 |
| 申请日期 | 2013-11-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85958]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔碧峰,张松,王晓玲,等. 一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器. CN103647216A. 2014-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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