一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王俊; 成卓; 胡海洋; 马浩源; 杨泽园; 张然; 马星; 樊宜冰; 黄永清; 任晓敏 |
| 发表日期 | 2017-05-10 |
| 专利号 | CN106654860A |
| 著作权人 | 北京邮电大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法，属于光通信用激光器材料和半导体光电子材料及其制造技术领域。所述材料包括在单晶InP衬底上依次制备得到的下DBR结构、激光器外延材料结构和上DBR结构，所述的下DBR结构包括多层介质图形结构及在其中生长的InP缓冲层和InP侧向外延层。本发明将纳米尺度侧向外延方法与传统Si/SiO2多层介质结构相结合，同时实现高反射率的下DBR结构与InP晶格匹配的虚拟衬底功能的方法；采用MOCVD方法解决了InP基长波长VCSEL外延材料的高反射率下DBR结构的材料制备问题，且省去了复杂的下DBR结构外延过程，减少VCSEL外延材料制备的成本，更适合于产业化的材料制备要求。 |
| 公开日期 | 2017-05-10 |
| 申请日期 | 2016-11-09 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85968]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,成卓,胡海洋,等. 一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法. CN106654860A. 2017-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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