长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 何国荣; 渠红伟; 郑婉华; 杨国华; 宋国锋; 陈良惠 |
| 发表日期 | 2008-05-14 |
| 专利号 | CN101179177A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法 |
| 英文摘要 | 一种长波长垂直腔面发射激光器的结构，包括：一N型GaAs衬底；多个周期的下布拉格反射镜，该多个周期的下布拉格反射镜制作在衬底上；一有源区与多个周期的下布拉格反射镜联结；多个周期的上布拉格反射镜制作在有源区上的中间位置；一SiO2掩膜沉积在多个周期的下布拉格反射镜的上面、有源区的部分上部和侧壁以及上布拉格反射镜的部分上部和侧壁；一P电极制作在有源区的SiO2掩膜上和暴露的有源区表面；一N电极，该N电极制作在衬底的下面。 |
| 公开日期 | 2008-05-14 |
| 申请日期 | 2006-11-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85973]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何国荣,渠红伟,郑婉华,等. 长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法. CN101179177A. 2008-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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