面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 乙間 広己 |
| 发表日期 | 2006-12-28 |
| 专利号 | JP2006352015A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 作成が容易であり、かつ低消費電力の静電破壊防止機能を備えた面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明に係るVCSEL1は、基板100上に発光部10とダミー部20を含んでいる。発光部10およびダミー部20は、n型の下部半導体多層反射膜102、活性層104、p型の電流狭窄層106、p型の上部半導体多層反射膜108及びコンタクト層110を含んでいる。発光部10とダミー部20は絶縁部120によって電気的に絶縁され、発光部10のアノードは、発光部用上部電極130に接続され、ダミー部20のアノードは、ダミー部用上部電極140に接続され、発光部10およびダミー部20のカソードは、下部共通電極150に接続されている。ダミー部20は、発光部10の保護機能を有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-12-28 |
| 申请日期 | 2005-06-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85986]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乙間 広己. 面発光型半導体レーザ. JP2006352015A. 2006-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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