低光反馈噪声的自脉冲半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 小林正英 |
| 发表日期 | 2008-01-16 |
| 专利号 | CN101106255A |
| 著作权人 | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 低光反馈噪声的自脉冲半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种自脉冲半导体激光器，包括：形成在半导体衬底(101)上的下包层(103)，形成在下包层上的有源层(105)，形成在有源层上的第一上包层(107)，形成在第一上包层上的第二上包层(109)和阻挡层(BLK)。第二上包层(109)具有台地结构(MS)。阻挡层(BLK)形成在第二上包层(109)的两侧上并包括其带隙大于有源层(105)的带隙的层。当执行自脉冲时，可饱和吸收器区(115)形成在增益区(114)的两侧上。第一上包层(107)的厚度d满足220nm≤d≤450nm的关系。可以在宽的温度范围内实现稳定的自脉冲。 |
| 公开日期 | 2008-01-16 |
| 申请日期 | 2007-07-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85997]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林正英. 低光反馈噪声的自脉冲半导体激光器. CN101106255A. 2008-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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