氮化物半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 津田有三; 花冈大介; 石田真也 |
| 发表日期 | 2005-11-30 |
| 专利号 | CN1702927A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为－30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。 |
| 公开日期 | 2005-11-30 |
| 申请日期 | 2005-05-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86002]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 津田有三,花冈大介,石田真也. 氮化物半导体激光器件. CN1702927A. 2005-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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