氮化物半导体激光器芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谷健太郎; 川上俊之; 谷善彦 |
| 发表日期 | 2011-12-28 |
| 专利号 | CN102299481A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片以降低的电功耗运行且有助于实现成本降低，且具有：有源层，由氮化物半导体形成；氮化物半导体层，形成在有源层之上；脊部，形成在氮化物半导体层的一部分中；以及导电膜，具有光吸收特性，并且在氮化物半导体层之上至少形成脊部的外侧区域中。脊部的脊宽度为2μm以上且6μm以下。 |
| 公开日期 | 2011-12-28 |
| 申请日期 | 2011-06-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86023]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷健太郎,川上俊之,谷善彦. 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法. CN102299481A. 2011-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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