脊形波导型半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 三桥丰; 泷口透; 花卷吉彦 |
| 发表日期 | 2003-10-01 |
| 专利号 | CN1445892A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 脊形波导型半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供漏电流少、改善温度特性、高速动作特性的脊形波导型半导体激光装置。它具有在p型半导体衬底上顺序形成p型包层、量子阱活性层、n型薄的第1包层、n型厚的第2包层的二重异质构造元件，在第2包层上形成的第2条沟之间形成脊形波导，对各沟的蚀刻，使用第1包层作为蚀刻阻塞层，并使各沟达到第1包层的表面或其近旁。薄的第1包层抑制漏电流，改善温度特性、高速动作特性。在各沟正下方的第1包层部分上形成高电阻区，进一步抑制漏电流。 |
| 公开日期 | 2003-10-01 |
| 申请日期 | 2002-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86027]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三桥丰,泷口透,花卷吉彦. 脊形波导型半导体激光装置. CN1445892A. 2003-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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