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一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法

文献类型:专利

作者王惠琼; 李东华; 周华; 康俊勇
发表日期2016-07-06
专利号CN105742158A
著作权人厦门大学
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法
英文摘要一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法,涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤:1)将衬底清洗后用氮气吹干,然后转入分子束外延生长系统,进行氧等离子退火;2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理,随后进行镁原子沉积;3)在步骤2)完成后,通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜,即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品,通过衬底表面预处理工艺,获得高质量的氧化锌单晶薄膜,可以运用于紫外发光、激光二极管等方面,有很大的应用前景,工艺简单,可重复性好。
公开日期2016-07-06
申请日期2016-02-15
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86047]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位厦门大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王惠琼,李东华,周华,等. 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法. CN105742158A. 2016-07-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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