一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法
文献类型：专利
| 作者 | 王惠琼; 李东华; 周华; 康俊勇 |
| 发表日期 | 2016-07-06 |
| 专利号 | CN105742158A |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法 |
| 英文摘要 | 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤：1)将衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子退火；2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理，随后进行镁原子沉积；3)在步骤2)完成后，通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜，即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品，通过衬底表面预处理工艺，获得高质量的氧化锌单晶薄膜，可以运用于紫外发光、激光二极管等方面，有很大的应用前景，工艺简单，可重复性好。 |
| 公开日期 | 2016-07-06 |
| 申请日期 | 2016-02-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86047]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王惠琼,李东华,周华,等. 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法. CN105742158A. 2016-07-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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