利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构
文献类型：专利
| 作者 | 高山彻; 马场孝明; 詹姆斯E·哈里斯,Jr |
| 发表日期 | 2002-05-01 |
| 专利号 | CN1347582A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构 |
| 英文摘要 | 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系,包括:激光二极管,晶体管,和光检测器,所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率和可靠性。在举例性实施方案中,半导体结构包括:在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一GaAlNAs层,基本没有相分离的GaAlNAs活性层,和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三GaAlNAs层。 |
| 公开日期 | 2002-05-01 |
| 申请日期 | 2000-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86061]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山彻,马场孝明,詹姆斯E·哈里斯,Jr. 利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构. CN1347582A. 2002-05-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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