半导体激光元件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 桥本隆宏 |
| 发表日期 | 2005-12-28 |
| 专利号 | CN1713471A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种在p型覆层上沉积绝缘膜的半导体激光元件，其中可以通过抑制在半导体激光元件中的p型覆层上导致的热应力来防止半导体激光元件的体劣化。化合物半导体多层结构(2)通过依次在沉积方向上沉积n型覆层(8)、有源层(9)和具有形成于其上的脊部分(19)的p型覆层(10)来形成。然后，在化合物半导体多层结构(2)的沉积方向上沉积绝缘膜(3)，该绝缘膜由折射率与构成所述第二覆层(10)的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成。本发明还涉及制造该半导体激光元件的方法。 |
| 公开日期 | 2005-12-28 |
| 申请日期 | 2005-06-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86067]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桥本隆宏. 半导体激光元件及其制备方法. CN1713471A. 2005-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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