氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 江文章; 宋嘉斌; 楊泓斌; 尤信介 |
| 发表日期 | 2004-07-01 |
| 专利号 | TW200412001A |
| 著作权人 | 財團法人工業技術研究院 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法 |
| 英文摘要 | 一種氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法，係於氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件完成氧化製程之後，將填充材料沉積於氧化製程所造成之蝕刻溝渠，使蝕刻後之元件表面平坦化以利於後續之金屬電極製作，增進元件的良率並同時改良元件特性。 |
| 公开日期 | 2004-07-01 |
| 申请日期 | 2002-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86072]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 財團法人工業技術研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江文章,宋嘉斌,楊泓斌,等. 氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法. TW200412001A. 2004-07-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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