Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
文献类型：专利
| 作者 | LUTGEN STEPHAN; ORTH ANDREAS |
| 发表日期 | 2003-11-20 |
| 专利号 | DE10219345A1 |
| 著作权人 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
| 英文摘要 | Bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer aktiven, Photonen emittierenden Schicht und einer epitaktischen p-dotierten AlGaAs-Deckschicht hoher Querleitfähigkeit zur homogenen Strominjektion in die aktive Schicht ist erfindungsgemäß die p-dotierte AlGaAs-Deckschicht mit zumindest zwei verschiedenen p-Dotierstoffen dotiert. Dadurch kann ein sonst beobachteter Widerstandsanstieg des Bauelements innerhalb der ersten Betriebsstunden vermieden werden. |
| 公开日期 | 2003-11-20 |
| 申请日期 | 2002-04-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86077]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LUTGEN STEPHAN,ORTH ANDREAS. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement. DE10219345A1. 2003-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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