一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 廖永平; 张宇; 魏思航; 郝宏玥; 徐应强; 牛智川 |
| 发表日期 | 2017-01-04 |
| 专利号 | CN106300015A |
| 著作权人 | 协同创新(北京)光电技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法，涉及中红外激光器技术领域。本发明所述的激光器包括：有源区(包括InGaAsSb量子阱或AlGaInAsSb势垒层)、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层等结构。同时，本发明提出采用脊型宽面波导，波导刻蚀至上波导层，在绝缘层刻蚀出电注入窗口，形成电流注入区域；在沉积n面电极之前对磨抛面用稀盐酸溶液进行处理；另外，在激光器烧结时通入甲酸和氮气双路保护气体，旨在激光器能够获得大功率输出，避免焊料出现空洞和器件爬In现象，提高器件稳定性和寿命。 |
| 公开日期 | 2017-01-04 |
| 申请日期 | 2016-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86105]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 协同创新(北京)光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖永平,张宇,魏思航,等. 一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法. CN106300015A. 2017-01-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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