用于高密度光记录装置的自适应记录方法和装置
文献类型:专利
作者 | 徐赈教 |
发表日期 | 2001-08-01 |
专利号 | CN1306661A |
著作权人 | 三星电子株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 用于高密度光记录装置的自适应记录方法和装置 |
英文摘要 | 提供了一种用于优化激光二极管的功率的自适应记录方法和装置。在用于优化关于重写脉冲的读功率、峰功率和偏置功率并将它们供应给激光二极管的方法中,该自适应记录方法包括下列步骤:鉴别输入NRZI(不归零反相)数据的标记长度,并根据鉴别的标记长度改变重写脉冲的功率。 |
公开日期 | 2001-08-01 |
申请日期 | 1999-04-03 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86187] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三星电子株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐赈教. 用于高密度光记录装置的自适应记录方法和装置. CN1306661A. 2001-08-01. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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