半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 松本晃广 |
| 发表日期 | 2003-03-12 |
| 专利号 | CN1402395A |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光元件，该元件具有小的脊部外侧电容和高的响应速度，并能够实现具有所需脉冲波形的脉冲振荡。在GaAs衬底(101)上，设置n－型缓冲层(102)、n－型第一包层(103)、MQW有源层(104)、p－型第二包层(105)、其能带隙小于第二包层(105)的能带隙的p－型蚀刻终止层(106)、构成脊形部分的p－型第三包层(107)、以及p－型保护层(108)。在脊部宽度方向上在两侧层叠p－型间隔层(109)、n－型光电限制层(110)、n－型电流限制层(111)和p－型平坦层(112)。在这些层上层叠p－型接触层(113)。当施以偏压时，耗尽层扩展到间隔层(109)中。因此，降低了间隔层(109)和光电限制层(110)之间的电容，并加快了半导体激光元件脉冲振荡时的响应速度。 |
| 公开日期 | 2003-03-12 |
| 申请日期 | 2002-06-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86192]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本晃广. 半导体激光元件. CN1402395A. 2003-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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