用于高功率半导体激光器的热沉以及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 丛海兵; 郝明明; 牟中飞; 陶丽丽; 招瑜; 李京波 |
| 发表日期 | 2017-04-26 |
| 专利号 | CN106602401A |
| 著作权人 | 广东工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于高功率半导体激光器的热沉以及制备方法 |
| 英文摘要 | 本申请提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉，包括：金刚石基底；制备于所述金刚石基底表面的金属层；在所述金属层表面制备有用于焊接激光器芯片的焊接层。本发明使用高热导率的金刚石材料为基底制作热沉，提高半导体激光器芯片工作时的散热效率，降低芯片的工作温度，解决了高功率激光器芯片的散热不佳的技术问题。本申请还提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉的制备方法，达到相同效果。 |
| 公开日期 | 2017-04-26 |
| 申请日期 | 2017-02-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86214]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 广东工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丛海兵,郝明明,牟中飞,等. 用于高功率半导体激光器的热沉以及制备方法. CN106602401A. 2017-04-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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