中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
一种大功率半导体激光器烧结装置及其烧结方法

文献类型:专利

作者李沛旭; 苏建; 江建民; 孙素娟; 史国柱; 徐现刚
发表日期2015-04-15
专利号CN104518423A
著作权人山东华光光电子股份有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种大功率半导体激光器烧结装置及其烧结方法
英文摘要一种大功率半导体激光器烧结装置及其烧结方法,该装置包括底座、定位台、压片和连接杆,定位台固定在底座上,定位台上至少设置有两个用于放置激光器热沉的定位槽,压片通过连接杆连接到底座上。上述装置烧结半导体激光器的方法是使用本发明所述的装置,在真空室内进行或者氮气保护氛围下进行。本发明结构简单合理、使用方便,成本低;使用该装置可以一次烧结多个激光器,通过定位槽对各个芯片进行定位,同时通过压片固定,保证了芯片与热沉有良好接触,同时能够防止焊料融化过程中导致的芯片位置偏移;可以有效提高激光器芯片的烧结质量和烧结效率。
公开日期2015-04-15
申请日期2014-12-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86255]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
李沛旭,苏建,江建民,等. 一种大功率半导体激光器烧结装置及其烧结方法. CN104518423A. 2015-04-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。