半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 仓本大; 仲山英次; 大泉善嗣; 藤本强 |
| 发表日期 | 2009-05-06 |
| 专利号 | CN101425659A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III－V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III－V族化合物半导体的活性层的氮化物型III－V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III－V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III－V族化合物半导体层。 |
| 公开日期 | 2009-05-06 |
| 申请日期 | 2008-08-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86287]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仓本大,仲山英次,大泉善嗣,等. 半导体激光器及其制造方法. CN101425659A. 2009-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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