半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 粂雅博; 岛本敏孝; 木户口勋; 宇野智昭 |
| 发表日期 | 2006-11-01 |
| 专利号 | CN1855649A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光装置。目的在于：能够在将波长不同的多个半导体激光元件形成为单片(monolithic)的半导体激光装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性的端面涂敷膜。半导体激光装置，形成在由n型GaAs构成的衬底101上，具有射出第1振荡波长为λ1的激光的红色半导体激光元件1，以及射出第2振荡波长为λ2 (λ2≥λ1)的激光的红外线半导体激光元件2。在各半导体激光元件1及2中的射出各激光的射出端面140上，形成对于第1振荡波长λ1和第2振荡波长λ2之间的波长λ，折射率为n1且膜厚大致为λ/8n1的第1电介质膜，在该第1电介质膜上形成有折射率为n2且膜厚大致为λ/8n2的第2电介质膜。 |
| 公开日期 | 2006-11-01 |
| 申请日期 | 2005-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86294]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂雅博,岛本敏孝,木户口勋,等. 半导体激光装置. CN1855649A. 2006-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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