一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 李密锋; 汤宝 |
| 发表日期 | 2016-02-17 |
| 专利号 | CN105337166A |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延生长方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延(MBE)生长方法，该方法包括先将GaAs衬底脱氧预处理后，依次外延生长GaAs缓冲层、下DBR、有源区、氧化限制层及上DBR，其生长过程中，有源区夹在上、下DBR之间，有源区势垒中间位置采用δ掺杂方法，其中掺杂源选用碳(C)，δ掺杂结束后在As保护下停顿生长一段时间，藉由方法，解决了降低阈值、增加差分增益以及降低非线性增益压缩的技术问题，达成了减小光学损耗以及线宽，增强输出功率和本征带宽的良好效果。 |
| 公开日期 | 2016-02-17 |
| 申请日期 | 2015-11-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86315]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李密锋,汤宝. 一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延生长方法. CN105337166A. 2016-02-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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