半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竿本仁志; 岩本学 |
| 发表日期 | 2009-04-08 |
| 专利号 | CN100477422C |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 在并列设置多条脊部(16、36)的元件中，以夹着各脊部(16、36)的方式形成支承体(17、37)。更具体地说，在脊部(16)的元件外侧形成第一支承体17a，并在元件内侧形成第二支承体(17b)。另外，在脊部(36)的元件外侧形成第一支承体(37a)，并在元件内侧形成第二支承体(37b)。由此，在制造元件时，即使在元件表面涂敷抗蚀剂而进行旋转涂敷，也能够通过该第二支承体(17b、37b)来在一定的程度上抑制相对脊部(16、36)位于元件内侧的抗蚀剂流入脊部之间的槽中，从而能够避免相对脊部(16、36)位于元件内侧的抗蚀剂膜厚与元件外侧相比大幅度地变薄。 |
| 公开日期 | 2009-04-08 |
| 申请日期 | 2005-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86340]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竿本仁志,岩本学. 半导体激光元件及其制造方法. CN100477422C. 2009-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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