半导体激光元件以及半导体激光元件制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谷口英广; 石井宏辰; 行谷武 |
| 发表日期 | 2010-08-04 |
| 专利号 | CN101796699A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件以及半导体激光元件制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种半导体激光元件(1)，其具备包含由III族空穴的扩散形成的混晶化部分的窗口区域(23)、和具有量子阱构造的有源层(15)的非窗口区域(24)，在窗口区域(23)上设置对规定的原子进行吸收而促进III族空穴的扩散的促进膜而形成混晶化部分，在有源层(15)的近旁侧的层掺杂对V族位置优先进行置换的杂质，窗口区域中的能带间隙和非窗口区域中的能带间隙的差是50meV以上。 |
| 公开日期 | 2010-08-04 |
| 申请日期 | 2007-09-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86351]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷口英广,石井宏辰,行谷武. 半导体激光元件以及半导体激光元件制造方法. CN101796699A. 2010-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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