半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤本康弘; 高山彻; 木户口勋 |
| 发表日期 | 2008-08-27 |
| 专利号 | CN101252254A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种可实现不存在由于杂质扩散所导致的漏电流产生及高输出动作时可靠性降低的、包括多个谐振器的半导体激光装置。半导体激光装置包括彼此间留有间隔地形成在半导体衬底(10)上的第一谐振器(12)及第二谐振器(13)。该第一谐振器具有第一缓冲层(21)和包含第一活性层(23)的第一半导体层(20)，该第二谐振器具有第二缓冲层(31)和包含第二活性层(33)的第二半导体层(30)。在上述第一半导体层及上述第二半导体层的端面附近的区域分别形成了端面窗部(20a、30a)。第一缓冲层(21)的禁带宽度比第一活性层(23)的禁带宽度大，第二缓冲层(31)的禁带宽度比第二活性层(33)的禁带宽度大。 |
| 公开日期 | 2008-08-27 |
| 申请日期 | 2007-11-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86353]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本康弘,高山彻,木户口勋. 半导体激光装置及其制造方法. CN101252254A. 2008-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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