半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 福永敏明 |
| 发表日期 | 2002-12-11 |
| 专利号 | CN1384568A |
| 著作权人 | 富士胶片株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 半导体激光装置中,防止高输出驱动时端面发热,提高信赖性。在n－GaAs基板11上形成以下积层,即n－AlzlGal－zlAs下部金属包层12、n或i－In0.49Ga0.51P下部光导波层13、Inx3Gal－x3Asl－y3Py3量子井活性层14、P或i－In0.49Ga0.51P上部第一光导波层15、GaAs盖层16、SiO2膜17。从劈开面内侧上去除20μm宽的SiO2膜17。将该SiO2膜17作为掩蔽层,去除端面附近的GaAs盖层,P或i－In0.49Ga0.51P上部第一光导波层。接着去除SiO2膜17,去除端面附近的Inx3Gal－x3Asl－y3Py3量子井活性层14和残留的GaAs盖层16。在其上成长P或i－In0.49Ga0.51P上部第二光导波层18、p－AlzlGal－zlAs上部金属包层、p－GaAs接触层20。 |
| 公开日期 | 2002-12-11 |
| 申请日期 | 2001-06-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86389]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士胶片株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永敏明. 半导体激光装置. CN1384568A. 2002-12-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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