预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层
文献类型：专利
| 作者 | 李镇宇; 林忠宝; 夏兴国; 郭浩中; 徐慧君; 黄信杰 |
| 发表日期 | 2014-03-26 |
| 专利号 | CN103682007A |
| 著作权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种装置。该装置包括具有正面和与正面相对的背面的衬底。该衬底包括从衬底背面形成的多个开口。从平面图上观看时，这些开口共同限定衬底背面上的图案。在一些实施例中，衬底是硅衬底或者是碳化硅衬底。硅衬底与开口垂直对齐的部分的竖直尺寸在约100微米至约300微米的范围内变化。在硅衬底的正面上方形成有III-V族化合物层。该III-V族化合物层是发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及高电子迁移率晶体管(HEMT)中一种的部件。本发明还提供了预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层。 |
| 公开日期 | 2014-03-26 |
| 申请日期 | 2013-01-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86404]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李镇宇,林忠宝,夏兴国,等. 预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层. CN103682007A. 2014-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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