一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法与应用
文献类型：专利
| 作者 | 刘青; 汤庆敏; 沈燕; 任忠祥; 徐现刚 |
| 发表日期 | 2014-12-17 |
| 专利号 | CN104218447A |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法与应用 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光器芯片欧姆接触电极，包括在半导体激光器芯片上制备有欧姆接触电极，所述的欧姆接触电极包括由下而上依次制备的多种单质金属层，在相邻不同种类单质金属层之间制备有含该相邻两种单质金属的混合金属层。本发明所述的单质金属层的金属为可用于蒸镀欧姆接触电极金属，属于现有公知技术。本发明针对目前GaAs半导体激光器芯片制备，提出了一种新的欧姆接触电极的制作方法，具有粘附性好、金属层间应力小，能够有效的促进金属薄膜层间的相变以及高温下的互扩散，有利于金属系的混合层化以及抗热疲劳、耐冲击的能力，从而提高了GaAs半导体激光器芯片欧姆接触性能、散热能力、可靠性和寿命。 |
| 公开日期 | 2014-12-17 |
| 申请日期 | 2013-05-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86437]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘青,汤庆敏,沈燕,等. 一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法与应用. CN104218447A. 2014-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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