半导体激光器阵列、半导体激光器元件、半导体激光器模块、以及波长可变激光器组件
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤章; 吉田顺自; 清田和明 |
| 发表日期 | 2016-08-03 |
| 专利号 | CN105830292A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器阵列、半导体激光器元件、半导体激光器模块、以及波长可变激光器组件 |
| 英文摘要 | 半导体激光器阵列具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器，各所述半导体激光器具备：包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层；和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层，在所述活性层掺杂n型杂质。由此提供能在宽带中输出高强度的激光的半导体激光器阵列。 |
| 公开日期 | 2016-08-03 |
| 申请日期 | 2014-12-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86443]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤章,吉田顺自,清田和明. 半导体激光器阵列、半导体激光器元件、半导体激光器模块、以及波长可变激光器组件. CN105830292A. 2016-08-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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