半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲高▼橋 向星; 中津 弘志 |
| 发表日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP1996316577A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光素子の製造方法において、生産性に大きな影響をあたえる発光部の成長工程での不良を早期に発見し、素子の良品歩留まりを向上する。 【構成】 n型GaAs基板(ウエハ)1上に、エピタキシャル成長により、バッファ層20を形成した後、続いて、n型下クラッド層21、活性層22、p型上クラッド層23等を順次結晶成長する工程と、その後、該基板1上に形成された活性層22をウエハ状態で光励起し、該活性層22からの発光光の減衰時間である蛍光寿命の測定により、該エピタキシャル成長を行った基板の良品選別を行う工程と、その後、該良品と判定された基板に対して、素子構造の形成処理を行う工程とを含んでいる。 |
| 公开日期 | 1996-11-29 |
| 申请日期 | 1995-05-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲高▼橋 向星,中津 弘志. 半導体発光素子の製造方法. JP1996316577A. 1996-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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