半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 秋本 克洋; 宮嶋 孝夫; 小沢 正文; 森永 優子; 樋江井 太 |
| 发表日期 | 1994-03-04 |
| 专利号 | JP1994061580A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 ZnMgSSe系化合物半導体を用いて青色発光が可能な半導体レーザーを実現する。 【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型ZnMgSSeクラッド層3、ZnSe/ZnMgSSe多重量子井戸層から成る活性層4、p型ZnMgSSeクラッド層5及びp型ZnSeコンタクト層6を分子線エピタキシー法により順次積層する。p側電極にはAu/Pd電極8を用い、n側電極にはIn電極9を用いる。 |
| 公开日期 | 1994-03-04 |
| 申请日期 | 1992-08-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86482]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,秋本 克洋,宮嶋 孝夫,等. 半導体レーザー. JP1994061580A. 1994-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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