半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 石田 昌宏; 油利 正昭; 今藤 修; 中村 真嗣; 折田 賢児 |
| 发表日期 | 2000-11-14 |
| 专利号 | JP2000315817A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRONICS INDUSTRY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系化合物の半導体層上に低抵抗で信頼性よく、かつ透光性の優れた電極を得る。 【解決手段】 サファイア基板1の上にGaNよりなるバッファ層2、GaNよりなるn型クラッド層3、In0.2Ga0.8Nよりなる発光層4、GaNよりなるp型クラッド層5が順次形成され、p型クラッド層5の上にグラファイトの膜よりなる正電極7が形成されたものである。 |
| 公开日期 | 2000-11-14 |
| 申请日期 | 1999-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86484]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRONICS INDUSTRY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 昌宏,油利 正昭,今藤 修,等. 半導体装置. JP2000315817A. 2000-11-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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