自励発振型半導体レ—ザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 宏明 |
| 发表日期 | 2000-08-04 |
| 专利号 | JP2000216501A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レ—ザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 自励発振が可能な動作範囲を拡大し、高温まで安定して自励発振動作が得られる自励発振型半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、半導体基板上に、少なくともn型クラッド層、活性層、及びp型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を有し、かつ、n型クラッド層又はp型クラッド層のいずれかが同じ導電型の2層のクラッド層で形成され、2層のクラッド層の間に可飽和吸収層を介在させた自励発振型半導体レーザを製造する方法である。本方法では、可飽和吸収層をエピタキシャル成長させる際、活性層の結晶成長温度よりも低い結晶成長温度で、可飽和吸収層を成長させる。 |
| 公开日期 | 2000-08-04 |
| 申请日期 | 1999-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86485]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 宏明. 自励発振型半導体レ—ザの製造方法. JP2000216501A. 2000-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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