半導体装置及びその製造方法並びに半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 今泉 昌之; 大塚 健一; 井須 俊郎 |
| 发表日期 | 1994-10-07 |
| 专利号 | JP1994283817A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 VI族元素を含む半導体材料からなる高品質の異種接合を形成して高性能·高信頼性の半導体装置を得る。 【構成】 VI族元素の原料にガス状のものを用いて結晶成長させる半導体単結晶基板を〔001〕方向から〔1,-1,0〕方向あるいは〔-1,10〕に略0.05度から16度傾いた方向に法線ベクトルをもつ結晶面とすることにより結晶成長面を常に平坦にでき、良品の半導体装置を得る。 |
| 公开日期 | 1994-10-07 |
| 申请日期 | 1993-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86491]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今泉 昌之,大塚 健一,井須 俊郎. 半導体装置及びその製造方法並びに半導体発光装置. JP1994283817A. 1994-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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