半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 笹沼 克信; 斎藤 真司; 波多腰 玄一; 西尾 譲司; 小野村 正明 |
| 发表日期 | 1999-09-07 |
| 专利号 | JP1999243251A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ発光の垂直方向の遠視野像を単峰化することができ、低いしきい値電流密度で低電圧動作する高信頼性GaN系レーザ装置を提供する。 【解決手段】本発明のGaN系レーザ装置は、活性層をガイド層で挟み、ガイド層をクラッド層で挟んだ構造において、従来のAlGaNクラッド層の代わりにInGaN又はGaNをクラッド層として用いることにより形成される。光導波路の実効屈折率の値がGaNコンタクト層の屈折率の値に比べて大きくなるようにすれば、遠視野像が単峰化され光ディスク用光源として優れたGaN系レーザ装置を得ることができる。さらに活性層に注入されたキャリアがInGaN又はGaNからなるガイド層にオーバーフローするのを防止するために、活性層とガイド層との間等にAlGaNからなる薄膜障壁層を設ける構造が示される。 |
| 公开日期 | 1999-09-07 |
| 申请日期 | 1998-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86501]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笹沼 克信,斎藤 真司,波多腰 玄一,等. 半導体レーザ装置. JP1999243251A. 1999-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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