半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 光晴; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 2000-08-04 |
| 专利号 | JP2000216494A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 膜厚を高精度に制御することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 サファイア基板1上に低温成長バッファ層2、GaN層3、n-GaN層4、クラック防止層5、n-クラッド層6、活性層7、p-第1クラッド層8およびp-第2クラッド層9を順にエピタキシャル成長させる。p-第1クラッド層8はAl0.1 Ga0.9 Nからなり、p-第2クラッド層はAl0.2 Ga0.8 N0.9 P0.1 からなる。p-第1クラッド層8上のストライプ状の領域を除いてp-第2クラッド層9をRIBE法によりドライエッチングする。このとき、p-第2クラッド層9のエッチング速度がp-第1クラッド層8に比べて大きいので、p-第1クラッド層8でエッチングを停止させることができる。 |
| 公开日期 | 2000-08-04 |
| 申请日期 | 1999-01-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86505]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 光晴,林 伸彦. 半導体発光素子およびその製造方法. JP2000216494A. 2000-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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