光半導体装置のマーカ形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 宏彦; 荻田 省一 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256664A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置のマーカ形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体装置のマーカ形成方法に関し、ウエハの両端に活性層の位置を正確に反映する活性層位置表示用マーカをセルフ·アライメントで形成する。 【解決手段】 基板41上にストライプの活性層42を含む光導波路を形成する為の活性層42、第一クラッド層43などを積層し、光導波路を形成する為の半導体層をストライプ化する第一のマスク及び基板41の両端近傍で第一のマスクの両側に間隔をおき並行する第二のマスクを形成し、第一及び第二のマスクを利用し前記光導波路を形成する為の半導体層をエッチングしてストライプの活性層42を含む第一のリッジ及び電流ブロック層成長制御用リッジ45である第二のリッジを形成し、電流ブロック層46を成長して第一のリッジ及び第二のリッジの側面を埋め、第一のマスク及び第二のマスクを除去してから第一のリッジに対向するV字形の溝が生成された第二クラッド層47、コンタクト層48を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86521]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 宏彦,荻田 省一. 光半導体装置のマーカ形成方法. JP1998256664A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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