半導体光素子および光電子集積回路
文献类型：专利
| 作者 | 宮澤 丈夫 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249834A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子および光電子集積回路 |
| 英文摘要 | 【目的】 新しいOEIC用のInP:Fe埋め込み構造を有する半導体光素子および光電子集積回路を提供する。 【構成】 n型InP基板3上にnクラッド4、活性層5、pクラッド6およびp型InGaAsPコンタクト層7を順次積層して形成された半導体レーザのメサ構造1は、半絶縁層(高抵抗層)のInP:Fe2で埋め込まれているが、このInP:Fe2の層中のレーザの活性層5に接する位置に、価電子帯端のエネルギ準位がInPの価電子帯端のエネルギ準位より低エネルギにある半導体層10または価電子帯端のエネルギ準位がInPの価電子帯端のエネルギ準位より高エネルギにある半導体層11が挿入されている。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮澤 丈夫. 半導体光素子および光電子集積回路. JP1995249834A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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