半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 屋敷 健一郎 |
| 发表日期 | 1995-08-04 |
| 专利号 | JP1995201890A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 3-5族化合物半導体基板上の2-6族化合物半導体の結晶成長技術に関して、デバイスとして十分な結晶性を持つ2-6族化合物半導体結晶の成長を実現する。 【構成】 3-5族化合物半導体上に2-6族半導体装置を積層させるときに、図1(a)に示す3-5族半導体12上の酸化膜11をサ-マルクリ-ニングにより取り除いた後、図1(b)に示すように2-6族半導体層21を薄く積み再蒸発させ、その結晶表面上に図1(c)のようにデバイスを作製する。2-6族半導体層を薄く積み再蒸発させる工程により、結晶表面は平坦となり、結晶性の良い2-6族半導体を形成することができる。 |
| 公开日期 | 1995-08-04 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86541]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 屋敷 健一郎. 半導体装置の製造方法. JP1995201890A. 1995-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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