半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 昌規; 石田 真也 |
| 发表日期 | 2002-12-20 |
| 专利号 | JP3382817B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 nおよびpクラッド層の不純物の特定およびそれらの各キャリア濃度の最適化により、従来不良の原因となっていたドーパントの相互拡散を抑え、良好な特性の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上に、MOCVD法によって、順に、少なくとも、Siドープn型AlGaAsクラッド層3と、不純物をドープしないGaAsまたはAlGaAs活性層4と、第1のZnドープまたはアンドープp型AlGaAsクラッド層5と、Siドープn型AlGaAsまたはGaAsブロック層6を形成した半導体レーザにおいて、前記Siドープn型AlGaAsクラッド3層のキャリア濃度を1〜8×1017cm-3、前記第1のZnドープまたはアンドープp型AlGaAsクラッド層5のキャリア濃度を0.5〜4×1017cm-3とする。 |
| 公开日期 | 2003-03-04 |
| 申请日期 | 1997-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86547]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 昌規,石田 真也. 半導体レーザ素子. JP3382817B2. 2002-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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