P型及びN型の不純物誘起層無秩序化材料を組み込んだ半導体デバイス
文献类型：专利
| 作者 | トーマス エル パオリー; ジョン イー ノースラップ |
| 发表日期 | 1995-08-18 |
| 专利号 | JP1995221409A |
| 著作权人 | XEROX CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | P型及びN型の不純物誘起層無秩序化材料を組み込んだ半導体デバイス |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 ヘテロ構造のバイポーラトランジスタをヘテロ構造のレーザとモノリシックに一体化したデバイスであって、全ての動作点がその一方の面に設けられたデバイスを提供。 【構成】 このデバイスは、多数の半導体層の選択された領域を不純物誘起層無秩序化することにより作られたp型及びn型の広バンドギャップ材料で形成される。これらデバイスは、無秩序化材料から成長直後の材料へ充分に急激に遷移するようにn型及びp型の層無秩序領域を同時に形成することにより作られる。このデバイスは、ヘテロ構造のバイポーラトランジスタがヘテロ構造レーザまたは表面放射レーザとモノリシックに一体化されたデバイス、表面放射レーザ、能動的分散型フィードバックを有する表面放射レーザ、p-n接合表面放射レーザのように個々に接触される多数の埋設層を含むデバイス、キャリアチャンネルデバイス等、及び光学検出器やインターディジタル型構造体を含む。 |
| 公开日期 | 1995-08-18 |
| 申请日期 | 1994-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86548]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | XEROX CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | トーマス エル パオリー,ジョン イー ノースラップ. P型及びN型の不純物誘起層無秩序化材料を組み込んだ半導体デバイス. JP1995221409A. 1995-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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