半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 伊地知 哲朗 |
| 发表日期 | 1994-05-06 |
| 专利号 | JP1994125140A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 共振器面を含む端面の酸化を防止することができ、信頼性のある半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板21上に、Alを含む3-5族化合物半導体からなる下部クラッド層22、活性層23および上部クラッド層24を順次積層した半導体レーザ素子において、下部クラッド層22、活性層23および上部クラッド層244に硫黄をドープする。 |
| 公开日期 | 1994-05-06 |
| 申请日期 | 1992-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86555]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,伊地知 哲朗. 半導体レーザ素子. JP1994125140A. 1994-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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