半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 松本 光晴; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 2000-03-14 |
| 专利号 | JP2000077776A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な劈開面を得ることが困難な基板構造であっても、共振構造で且つ光出射構造を実現できる半導体レーザーを提供する。 【解決手段】 この半導体レーザーは、透明なサファイア基板1上に障壁層および井戸層となる2種のInGaN層を交互に積層した多重量子井戸(MQW)から成る活性層7を含む各種の半導体層を形成して成る。前記活性層7に隣接するクラッド層8であって活性領域の一方の側には反射波を生成するための回折格子パターン8b(図示せず)が形成され、活性領域の他方の側には反射波を生成するとともに前記サファイア基板1に垂直な方向にレーザー光を出射させるための回折格子パターン8aが形成されている。そして、前記サファイア基板1のレーザー光が出射することになる面には、当該レーザー光の波面を整形するためのホログラム16が形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-03-14 |
| 申请日期 | 1998-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86565]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 光晴,林 伸彦. 半導体レーザー. JP2000077776A. 2000-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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