半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 延原 裕之 |
| 发表日期 | 1994-05-06 |
| 专利号 | JP1994125135A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 量子井戸構造を含む活性層を備えた半導体レーザに関し、伝導帯と価電子帯における量子準位のエネルギを独立して調整し、発振波長をより細かく制御することのできる量子井戸レーザを提供することを目的とする。 【構成】 1つの量子井戸における伝導帯の量子井戸幅と価電子帯の量子井戸幅が異なる値を有する量子井戸構造を含む活性層を有する。 |
| 公开日期 | 1994-05-06 |
| 申请日期 | 1992-10-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86590]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 延原 裕之. 半導体レーザ. JP1994125135A. 1994-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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