半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 倉又 朗人 |
| 发表日期 | 1995-12-12 |
| 专利号 | JP1995326817A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 バンドギャップを大きくする組成を採用しても,クラッド層のキャリア濃度を大きくする。 【構成】 1)II-VI 族化合物半導体を用いて構成される発光素子であって,p型クラッド層がMg, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni の少なくとも1つの元素を含む材料からなる超格子構造である,2)超格子構造を構成する2つの層の内,少なくとも片方の層のみにp型不純物がドーピングされている,3)超格子構造がMgx Zn1-x Sy Se1-y /Mgx'Zn1-x' Se1-y' ,4)前記4に記載のMgの代わりに,Ca,Sc,Ti, V,Cr,Mn,Fe,Co,Niの内のいずれか1つの元素で構成される,5)p型不純物がN, P, As,Sb, Bi, Li, Na, K, Rb,Csの少なくとも1つの元素である。 |
| 公开日期 | 1995-12-12 |
| 申请日期 | 1994-06-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86594]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人. 半導体発光素子. JP1995326817A. 1995-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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