半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 久弥; 安部 克則; 渥美 欣也 |
| 发表日期 | 2000-09-29 |
| 专利号 | JP2000269599A |
| 著作权人 | DENSO CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 大出力で利得導波型の半導体レーザ装置で、FFP//(活性層に平行な遠視野像)が双峰性とならないようにする。 【解決手段】 レーザチップ21は、n型GaAs基板22上にクラッド層23,活性層24,クラッド相25,キャップ層26を順次積層形成し、この上にストライプ状に開口した絶縁膜27を介して上部電極29を形成すると共に、下面に下部電極30を形成する。電流注入領域28の幅寸法は、出射端面21a側で狭く、反射端面21b側で広く設定される。レーザ光は、出射端面21aから出力する際に、狭くなった外側の部分の活性層24で光が吸収されることになり、中心部の光を主として出力させることができるので、FFP//は双峰性を抑制したものとすることができる。 |
| 公开日期 | 2000-09-29 |
| 申请日期 | 1999-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86595]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DENSO CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久弥,安部 克則,渥美 欣也. 半導体レーザ装置. JP2000269599A. 2000-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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