半導体レーザ、半導体光変調器および半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 尚文 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022564A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ、半導体光変調器および半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 選択成長においてマスクの幅、配置のわずかな違いによる混晶層の組成変化を低減し、選択成長における混晶層の組成制御性を向上させるとともに、面内均一性、再現性に優れた成長法を提供することを目的とするものである。 【解決手段】 本発明の半導体レーザおよび光変調器は選択成長により形成された活性層を持ち、かつその活性層あるいは活性層に用いられる多重量子井戸の井戸層または障壁層、あるいは光閉じ込め層が1種類のIII 族原子と1種類以上のV族原子で構成される化合物半導体あるいは混晶半導体からなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86599]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 尚文. 半導体レーザ、半導体光変調器および半導体レーザの製造方法. JP1998022564A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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