半導体発光素子及び光双安定素子
文献类型：专利
| 作者 | 河村 裕一; 若月 温; 岩村 英俊 |
| 发表日期 | 1993-02-19 |
| 专利号 | JP1993041538A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及び光双安定素子 |
| 英文摘要 | 【目的】レーザの閾値を低くすると共に、室温での負性抵抗特性の劣化を防ぐこと。 【構成】レーザは、n型InP基板1上に、n型InPクラッド層2、InGaAs層とInGaAlAs層とを交互に積層した多重量子井戸(MQW)活性層3、p型InPクラッド層4、p型InGaAs電極層5を順次積層した構造を有している。さらに、前記クラッド層2と活性層3の間に、InGaAsPガイド層8が挿入形成され、また、前記活性層3とクラッド層4の間に、InGaAsPガイド層11が挿入形成される。そして、前記ガイド層8と前記活性層3の間に、量子井戸層となるInGaAsP層10と、障壁層となるInAlAs層9とが挿入形成される。 |
| 公开日期 | 1993-02-19 |
| 申请日期 | 1991-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86600]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河村 裕一,若月 温,岩村 英俊. 半導体発光素子及び光双安定素子. JP1993041538A. 1993-02-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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