光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 1999-02-16 |
| 专利号 | JP1999046040A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 集積型光変調器の内部の戻り光によるチャーピングの発生を低減し、高速、長距離光伝送を実現する。 【解決手段】 DFBレーザ部2、遷移領域部6、変調器部5に分けられ、DFBレーザ部2では、n型InP基板1上に回折格子3が形成されている。変調器部5の活性層は、DFBレーザ部2の活性層よりバンドギャップが小さく、逆バイアスをかけることにより、DFBレーザ光を消光させることができるようになっている。遷移領域部6は、活性層のバンドギャップが連続的に変わっていく領域である。p側電極24は、DFBレーザ部2と変調器部5とに分離されて形成されている。変調器部5の光導波路が曲がり導波路となっている。この曲がり導波路の曲率半径は、1〜3mmである。 |
| 公开日期 | 1999-02-16 |
| 申请日期 | 1997-07-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86609]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 光半導体装置. JP1999046040A. 1999-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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