半導体光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 濱本 貴一 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996125283A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 波長500nm以上のレ-ザを含むあらゆるレ-ザに対応可能な構造の半導体光素子を提供すること及び従来の時間制御によるエッチング法に比して良好なエッチング深さ精度が得られる半導体光素子の製造方法を提供すること。 【構成】 n-GaAs基板1上に、n-Al0.33Ga0.67As第1クラッド層2、InGaAs/GaAs歪量子井戸活性層3、p-Al0.33Ga0.67As第2クラッド層4、p-Al0.1Ga0.9Asエッチング終点検出層5、p-Al0.33Ga0.67As第3クラッド層6、p-GaAs第1キャップ層7が順次積層されており、上記層5、層6及び層7の一部がエッチングにより除去されてリッジ構造導波路が形成されており、上記層5の厚が少なくともλ/(4n·cosθ)以上である半導体光素子。 【効果】 エッチング終点検出にHe-Neレ-ザ(波長:633nm)を用いても、その終点検出が充分に可能である。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1994-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86611]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 濱本 貴一. 半導体光素子及びその製造方法. JP1996125283A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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