可視光半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 今本 浩史 |
| 发表日期 | 1993-09-10 |
| 专利号 | JP1993235475A |
| 著作权人 | OMRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 可視光半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInP屈折率導波型可視光半導体レーザの製造工程の簡略化,熱特性の向上,および安定した発光特性を得る。 【構成】 基板1の上に下部クラッド層2,活性層3,キャリア閉じ込め層4,AlGaAsによりなる第1上部クラッド層5が形成され,さらにその上のストライプ溝状にはAlGaAsによりなる第2上部クラッド層11,キャップ層12が形成される。第1上部クラッド層5上のストライプ溝の両側は,GaAs光吸収層6によって埋められている。上記キャップ層12の上面および半導体基板下面にそれぞれオーミック電極40および41が形成されている。 |
| 公开日期 | 1993-09-10 |
| 申请日期 | 1992-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86615]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OMRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今本 浩史. 可視光半導体レーザおよびその製造方法. JP1993235475A. 1993-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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